HP продвигает новый тип памяти, основанный на использовании мемристоров

Мемристор был впервые описан в 1971 году профессором Калифорнийского университета Леоном Чуа (Leon Chua). По теории профессора Чуа, мемристор представлял собой четвёртый базовый элемент электрических схем, помимо уже известных резистора, конденсатора и катушки индуктивности, и являлся резистором, способным изменять своё сопротивление. По прошествии десятилетий, учёные фирмы Hewlett–Packard доказали реальное существование мемристоров, а спустя ещё некоторое время – возможность его переключения на различные уровни сопротивления, которые в цифровом виде могут восприниматься как ноли и единицы.

Однако, несмотря на то, что реально работающие мемристоры уже используются в промышленности, до совсем недавнего времени учёные не могли объяснить, какие именно процессы протекают внутри этих элементов на наноуровне.

На сайте журнала Nanotechnology 16 мая появился отчёт об исследовании, проведённом учёными HP. В ходе опыта лучи высокоточного рентгена были направлены в область наноскопического канала, отвечающего за изменение сопротивления мемристора. Итоги исследования объяснили, какие химические и структурные изменения приводят к переключению между разными уровнями электрического сопротивления. С обретением этих знаний сотрудники HP заявили о возможности создания на базе мемристоров нового типа быстрой, энергонезависимой памяти, названной ими ReRAM.

Новая память будет производиться по 15-нанометровой технологии, и обладать плотностью 12 гигабайт на квадратный сантиметр, с возможностью наложения слоёв один на другой. Доступной, по словам сотрудника HP Стэна Уильямса (Stan Williams), она станет в середине 2013 года, и это будет вполне своевременно, учитывая, что технологии, по которым производится DRAM–память и флэш-накопители, скоро достигнут своего технологического предела.

Источник