Новая технология памяти ReRAM от Samsung выдерживает триллион циклов перезаписи

Память типа Resistive Random Access Memory (ReRAM) впервые была представлена в 1997 году, и в то время открытие нового типа памяти вызвало настоящий ажиотаж в околоэлектронных кругах. Компания Panasonic достаточно долго являлась лидирующей компанией в направлении разработки коммерческих вариантов микросхем памяти, выполненных по технологии ReRAM и множество других компаний вели собственные разработки в этом перспективном направлении. На сей раз компания Samsung перепрыгнула все предыдущие достижения, изобретя дополнительную технологию, которая увеличивает количество циклов перезаписи до одного триллиона.

Новая передовая технология памяти ReRAM использует в качестве материала, изменяющего сопротивление, асимметричную двухслойную пленку Ta2O5-x/TaO2-x в отличие от других технологий, в которых применяется пленка из материала Ta2O5. Использование двух слоев разных материалов позволяет ограничить диапазон изменения удельного сопротивления материала. Так же для изменения сопротивления нового материала происходит при существенно меньшем значении протекающего через него электрического тока. Это, в свою очередь, позволяет уменьшить расход энергии, увеличить число циклов перезаписи до триллиона раз и обеспечивает высокую скорость записи информации в память нового типа.

Естественно, имея ресурс в миллион раз превышающий ресурс современной flash-памяти, новая память может стать основой для быстрых и недорогих устройств хранения информации большой емкости. А высокая скорость записи информации, составляющая всего 10 нс, позволяет использовать эту перспективнейшую технологию вместо обычной динамической оперативной памяти.

Источник