Представлена новая технология производства нанотранзисторов



В американской компании Applied Materials научились наносить слои диэлектрика толщиной в один атом каждый, чтобы получался 22-нанометровый чип с транзистором.

Нанотранзистор, сконструированный специалистами Applied Materials, состоит из трёх слоёв: кремниевой основы, проводящего слоя диоксида кремния и изолирующего слоя оксида гафния, содержащего атомы азота.


Оборудование для производства нанотранзисторов нового поколения. (Фото Applied Materials).

Поскольку от диэлектрика зависит способность транзистора контролировать прохождение электронов, а толщина этого слоя составляет всего 2 нм, инженеры предложили поатомное распределение материала. В целях защиты изделия от посторонних включений, которые содержатся в воздухе, процедура проводится в вакуумной камере.

Такой подход, получивший название Centura Integrated Gate Stack, позволяет ускорить прохождение заряженных частиц через транзистор на 10%. Это в конечном счёте приводит к более быстрой работе микропроцессора или графического чипа с таким транзистором, а также к экономии энергии.

Applied Materials продемонстрировала технологию на конференции по микроэлектронике Semicon West 2011, состоявшейся 12–14 июля в Сан-Франциско (США).

Источник

«Нет ничего чудеснее человеческого мозга, нет ничего более изумительного, чем процесс мышления, ничего более драгоценного, чем результаты научных исследований»

Алексей Горький

Файлы

Как физики выявляют законы природы

Физика невозможного

XXI век в зеркале футурологии

Этюды о вселенной