Представлена новая технология производства нанотранзисторов



В американской компании Applied Materials научились наносить слои диэлектрика толщиной в один атом каждый, чтобы получался 22-нанометровый чип с транзистором.

Нанотранзистор, сконструированный специалистами Applied Materials, состоит из трёх слоёв: кремниевой основы, проводящего слоя диоксида кремния и изолирующего слоя оксида гафния, содержащего атомы азота.


Оборудование для производства нанотранзисторов нового поколения. (Фото Applied Materials).

Поскольку от диэлектрика зависит способность транзистора контролировать прохождение электронов, а толщина этого слоя составляет всего 2 нм, инженеры предложили поатомное распределение материала. В целях защиты изделия от посторонних включений, которые содержатся в воздухе, процедура проводится в вакуумной камере.

Такой подход, получивший название Centura Integrated Gate Stack, позволяет ускорить прохождение заряженных частиц через транзистор на 10%. Это в конечном счёте приводит к более быстрой работе микропроцессора или графического чипа с таким транзистором, а также к экономии энергии.

Applied Materials продемонстрировала технологию на конференции по микроэлектронике Semicon West 2011, состоявшейся 12–14 июля в Сан-Франциско (США).

Источник

«Мы убиваем время, а время убивает нас»

Эмиль Кроткий

Файлы

Социализм и коммунизм: теория, актуальное состояние, футурологическая проекция

Поиски механизма гравитации

Мир без политики, нищеты и войн

Идеология партии будущего