Представлена новая технология производства нанотранзисторов
![](http://www.nanonewsnet.ru/files/thumbs/2011/bubblecells_x220.jpg)
В американской компании Applied Materials научились наносить слои диэлектрика толщиной в один атом каждый, чтобы получался 22-нанометровый чип с транзистором.
Нанотранзистор, сконструированный специалистами Applied Materials, состоит из трёх слоёв: кремниевой основы, проводящего слоя диоксида кремния и изолирующего слоя оксида гафния, содержащего атомы азота.
![](http://www.nanonewsnet.ru/files/users/u2999/Part-3/ald_large.png)
Оборудование для производства нанотранзисторов нового поколения. (Фото Applied Materials).
Поскольку от диэлектрика зависит способность транзистора контролировать прохождение электронов, а толщина этого слоя составляет всего 2 нм, инженеры предложили поатомное распределение материала. В целях защиты изделия от посторонних включений, которые содержатся в воздухе, процедура проводится в вакуумной камере.
Такой подход, получивший название Centura Integrated Gate Stack, позволяет ускорить прохождение заряженных частиц через транзистор на 10%. Это в конечном счёте приводит к более быстрой работе микропроцессора или графического чипа с таким транзистором, а также к экономии энергии.
Applied Materials продемонстрировала технологию на конференции по микроэлектронике Semicon West 2011, состоявшейся 12–14 июля в Сан-Франциско (США).
Источник
2011.07.19 13:01:38
Читайте также:
Шведские ученые создали свет из абсолютной пустоты
Экспериментальная археология и нейробиология
Шаги по улучшению вашего рабочего пространства
Теория «многоуровневого культурного отбора» позволяет рассчитать время и место появления империй